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Ⅲ族氮化物材料热壁化学气相沉积制备研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  牛慧丹
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长波长GaN基LED材料生长与性能研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  李文龙
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半极性GaN的湿法腐蚀特性与生长研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  文玲
Adobe PDF(6766Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:358/1  |  提交时间:2021/11/30
无权访问的条目 学位论文
作者:  孟钰淋
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含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  李巍
Adobe PDF(3778Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:858/58  |  提交时间:2017/06/05
氮化镓  铟铝氮  高电子迁移率晶体管  二维电子气  电流崩塌  
宽禁带半导体材料光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  刘雅丽
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Algan/algan 量子阱  Gan/aln量子点  半导体金刚石  深紫外光致发光  激子-声子作用  激子局域化  
GaN基LED结构设计和理论模拟及载流子局域化实验研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  杨玉珏
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制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  张恒;  魏鸿源;  杨少延;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  刘祥林;  王占国
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半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  项若飞;  汪连山;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  张恒;  冯玉霞;  焦春美;  魏鸿源;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1070Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:634/1  |  提交时间:2016/09/12