|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12
发明人: 占 荣; 惠 峰; 赵有文
 Adobe PDF(347Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1833/292 | 提交时间：2010/08/12 |
| 制备稀磁半导体Ga 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈晨龙; 陈诺夫; 吴金良
Adobe PDF(240Kb) | 收藏 | 浏览/下载：974/171 | 提交时间：2009/06/11 |
| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 王科范; 杨晓光 ; 杨涛; 王占国
Adobe PDF(257Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1382/248 | 提交时间：2012/09/09 |
| 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176490A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 杨晓光; 杨涛
Adobe PDF(313Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1194/211 | 提交时间：2012/09/09 |
| 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国
Adobe PDF(249Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1377/267 | 提交时间：2011/08/31 |
| 一种增强型高电子迁移率晶体管结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240933.2, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 谈笑天; 郑厚植
Adobe PDF(444Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1116/170 | 提交时间：2011/08/30 |
| 具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237780.0, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 孙晓明; 郑厚植; 章昊
Adobe PDF(388Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1246/215 | 提交时间：2011/08/30 |
| 窄脊半导体器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2017-06-05
发明人: 杨冠卿; 梁平; 徐波; 陈涌海; 王占国
Adobe PDF(5284Kb) | 收藏 | 浏览/下载：572/4 | 提交时间：2017/06/05 |
| 一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga，Mn)As薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 赵建华; 王海龙
Adobe PDF(601Kb) | 收藏 | 浏览/下载：345/1 | 提交时间：2016/08/30 |
