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III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2018
作者:  季祥海
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Iii-v族半导体纳米线  异质结纳米线  自催化生长机制  金属有机化学气相沉积  
反转型InAs/GaSb量子阱结构电子迁移率及异质结红外光电晶体管研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  黄文军
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Inas/gasb二类超晶格  反转型量子阱结构  电子迁移率  异质结光电晶体管  双色  
硅基InGaAs/InP量子阱材料生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2018
作者:  王梦琦
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面向新型红外探测应用的GaSb单晶制备、物性及缺陷控制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  白永彪
Adobe PDF(6437Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：596/26  |  提交时间：2018/06/01