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硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  刘广政
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Gaas/si  Gaas/ge  两步法  四步法  量子点  激光器  
离子束溅射沉积制备六方氮化硼二维原子晶体 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  王浩林
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六方氮化硼  二维原子晶体  离子束溅射沉积  衬底  大尺寸晶畴  
Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  杜文娜
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Inassb纳米线  生长机制  平面纳米线  纳米线阵列  金属有机化学气相沉积  
无权访问的条目 学位论文
作者:  赵亚娟
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基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  李士颜
Adobe PDF(15932Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:711/63  |  提交时间:2016/06/02
高深宽比限制技术  选区外延技术  Si基iii-v族异质外延  Si基高迁移率iii-v族mosfet  纳米激光器  
纳米(线)结构改善硅薄膜电池性能 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  张晓东
Adobe PDF(4244Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:517/17  |  提交时间:2016/05/27
硅纳米线电池  In残留物  Tco背电极层  填充因子ff  
1.55微米InP基量子点可调谐外腔激光器和锁模激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  高凤
Adobe PDF(7164Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:969/286  |  提交时间:2016/06/01