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CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  相琳琳
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第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  Ii-vi族半导体材料  纳米线  
高质量大组分可调GaAs1-xSbx纳米线及GaAsSb/InAs核-壳同轴纳米线分子束外延生长与表征 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  李利霞
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