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Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy 会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:  Ye XL;  Chen YH;  Xu B;  Zeng YP;  Wang ZG;  Ye XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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Short-period Superlattices  Raman-scattering  Quantum-wells  Growth  Roughness  Segregation  Alas/gaas  Alas  Gaas  
The diphasic nc-Si/a-Si : H thin film with improved medium-range order 会议论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 338, Campos do Jordao, BRAZIL, AUG 25-29, 2003
作者:  Zhang S;  Liao X;  Xu Y;  Martins R;  Fortunato E;  Kong G;  Zhang S Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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Amorphous-silicon Films  Scattering  Absorption  Densities  Hydrogen