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锑化镓和砷化铟衬底的抛光损伤及晶格完整性研究 学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  冯银红
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锑化物超晶格长波红外探测器理论设计及其焦平面器件 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  崔素宁
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III-V族半导体材料中的圆偏振光学性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  吴静
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低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  周媛
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, Yuan;   Zhao, Youwen;   Xie, Hui;   Shen, Guiying;   Liu, Jingming;   Yang, Jun
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma, Zhe;   Wei, Jiangtao;   Song, Peishuai;   Zhang, Mingliang;   Yang, Liangliang;   Ma, Jing;   Liu, Wen;   Yang, Fuhua;   Wang, Xiaodong
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无权访问的条目 学位论文
作者:  谢圣文
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InAs单晶位错和杂质条纹的识别及相关材料性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  孙静
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GaSb原生受主缺陷对施掺杂激活及其器件应用的影响 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  余丁
Adobe PDF(3273Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:477/11  |  提交时间:2019/09/22
无权访问的条目 学位论文
作者:  于天
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