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高介电常数氧化物中缺陷与掺杂的第一性原理研究 学位论文
理学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  刘竹友
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作者:  Zhang, Lian;   Wang, Rong;   Liu, Zhe;   Cheng, Zhe;   Tong, Xiaodong;   Xu, Jianxing;   Zhang, Shiyong;   Zhang, Yun;   Chen, Fengxiang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cai‐Xin Zhang ;  Tao Shen ;  Dan Guo ;  Li‐Ming Tang ;  Kaike Yang ;  Hui‐Xiong Deng
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ZnxCd1-xO合金及岩盐结构化合物电子结构的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  张亚伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, F;  Li, JB;  Li, SS;  Xia, JB;  Wei, SH;  Wang, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi HL;  Duan Y;  Shi HL Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hlshi@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, F (Wang, Fei);  Li, SS (Li, Shu-Shen);  Xia, JB (Xia, Jian-Bai);  Jiang, HX (Jiang, H. X.);  Lin, JY (Lin, J. Y.);  Li, J (Li, Jingbo);  Wei, SH (Wei, Su-Huai);  Wang, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: suhuai_wei@nrel.gov
Adobe PDF(184Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：944/306  |  提交时间：2010/03/29