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中国科学院半导体研究所机构知识库
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高介电常数氧化物中缺陷与掺杂的第一性原理研究
学位论文
理学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:
刘竹友
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提交时间:2023/07/03
基于四方相ZrO2缺陷的DRAM电容器可靠性研究
学位论文
理学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:
李广卓
Adobe PDF(3295Kb)
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提交时间:2023/07/03
半导体带电缺陷计算与超快光致相变机制研究
学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:
索曌君
Adobe PDF(23395Kb)
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提交时间:2022/07/26
大晶格失配和异价的Si与III-V族半导体带阶的直接计算
学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
胡玉莹
Adobe PDF(9784Kb)
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浏览/下载:371/4
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提交时间:2021/11/26
半导体带电缺陷计算与超快光致相变机制研究
学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
索曌君
Adobe PDF(20437Kb)
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浏览/下载:281/2
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提交时间:2021/12/17
过渡金属(X _ Zn,V,Hf)基化合物及其异质结构的能源光子学性质理论研究
学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
ZEESHANTARIQ
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提交时间:2021/06/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ye, Meng
;
Jiang, Xiangwei
;
Li, Shu-Shen
;
Wang, Lin-Wang
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提交时间:2022/12/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tariq, Zeeshan
;
Rehman, Sajid Ur
;
Zhang, Xiaoming
;
Butt, Faheem K.
;
Feng, Shuai
;
Ul Haq, Bakhtiar
;
Zheng, Jun
;
Cheng, Buwen
;
Li, Chuanbo
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提交时间:2022/07/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tariq, Zeeshan
;
Rehman, Sajid Ur
;
Zhang, Xiaoming
;
Butt, Faheem K.
;
Feng, Shuai
;
Ul Haq, Bakhtiar
;
Cheng, Buwen
;
Li, Chuanbo
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提交时间:2022/04/28
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, Wen-Hao
;
Wang, Zhi
;
Chen, Zhang-Hui
;
Luo, Jun-Wei
;
Li, Shu-Shen
;
Wang, Lin-Wang
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提交时间:2022/03/23