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低维锑基半导体材料光电探测器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  柴瑞青
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III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2018
作者:  季祥海
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Iii-v族半导体纳米线  异质结纳米线  自催化生长机制  金属有机化学气相沉积  
高质量大组分可调GaAs1-xSbx纳米线及GaAsSb/InAs核-壳同轴纳米线分子束外延生长与表征 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  李利霞
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Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  杜文娜
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Inassb纳米线  生长机制  平面纳米线  纳米线阵列  金属有机化学气相沉积  
无权访问的条目 学位论文
作者:  王小耶
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直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人:  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  杨涛;  王占国
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