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作者:  Huo YH (Huo Y. H.);  Ma WQ (Ma W. Q.);  Zhang YH (Zhang Y. H.);  Chen LH (Chen L. H.);  Shi YL (Shi Y. L.);  Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: wqma@semi.ac.cn
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近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  李琼;  马文全;  张艳华;  黄建亮
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