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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:半导体集成技术工程研究中心
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期刊论文
作者:
Du, YD
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Han, WH
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Yan, W
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Yang, FH
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提交时间:2015/04/02
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期刊论文
作者:
Wang, H
;
Han, WH
;
Ma, LH
;
Li, XM
;
Yang, FH
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提交时间:2015/03/25
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期刊论文
作者:
Wang, H
;
Han, WH
;
Li, XM
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Zhang, YB
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Yang, FH
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提交时间:2015/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, H
;
Han, WH
;
Ma, LH
;
Li, XM
;
Hong, WT
;
Yang, FH
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提交时间:2015/04/02
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期刊论文
作者:
Du, YD
;
Han, WH
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Yan, W
;
Xu, XN
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Zhang, YB
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Wang, XD
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Yang, FH
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Cao, HZ
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Liu, Y
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提交时间:2013/03/17
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期刊论文
作者:
杜彦东
;
韩伟华
;
颜伟
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张严波
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;
张仁平
;
杨富华
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提交时间:2012/07/17
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期刊论文
作者:
Zhang YB (Zhang Yanbo)
;
Xiong Y (Xiong Ying)
;
Yang XA (Yang Xiang)
;
Wang Y (Wang Ying)
;
Han WH (Han Weihua)
;
Yang FH (Yang Fuhua)
;
Han, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res Ctr Semicond Integrat Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1172/229
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提交时间:2010/11/30
依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
杨香
;
韩伟华
;
王颖
;
张杨
;
杨富华
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浏览/下载:1542/249
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提交时间:2011/08/31
SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:
杜彦东
;
韩伟华
;
颜伟
;
张严波
;
杨富华
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提交时间:2012/09/07
利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人:
颜伟
;
杜彦东
;
韩伟华
;
杨富华
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提交时间:2012/09/07