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| 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵建华; 邓加军; 毕京峰; 牛智川; 杨富华; 吴晓光; 郑厚植 Adobe PDF(336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1349/141  |  提交时间:2009/06/11 |
| 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102176490A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 杨晓光; 杨涛 Adobe PDF(313Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1320/211  |  提交时间:2012/09/09 |
| 半导体激光照明光源 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102494299A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-09-07, 2012-09-07 发明人: 王新伟; 杨嘉琦; 石晓光; 周燕 Adobe PDF(571Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1385/207  |  提交时间:2012/09/07 |
| 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 杨涛; 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 季祥海; 王占国 Adobe PDF(878Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:737/4  |  提交时间:2016/09/12 |
| 一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉 Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:799/101  |  提交时间:2014/11/05 |
| 硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18 发明人: 韩伟华; 王昊; 马刘红; 洪文婷; 杨晓光; 杨涛; 杨富华 Adobe PDF(1312Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:725/64  |  提交时间:2014/11/17 |
| 硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09 发明人: 韩伟华; 杨晓光; 杨涛; 王昊; 洪文婷; 杨富华 Adobe PDF(1132Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:779/64  |  提交时间:2014/11/17 |
| 制备砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19 发明人: 杨晓光; 杨涛 Adobe PDF(308Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:587/73  |  提交时间:2014/10/28 |
| 直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23 发明人: 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 杨涛; 王占国 Adobe PDF(867Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:911/203  |  提交时间:2014/11/24 |
| 高电阻低位错GaN薄膜及制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25 发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉 Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:793/88  |  提交时间:2014/11/24 |