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SiGe基半导体量子计算材料的制备与物性表征 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  张点点
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过渡金属（X _ Zn，V，Hf）基化合物及其异质结构的能源光子学性质理论研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  ZEESHANTARIQ
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硅基锗锡合金外延生长及发光器件研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  彭林志
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tariq, Zeeshan;   Rehman, Sajid Ur;   Zhang, Xiaoming;   Butt, Faheem K.;   Feng, Shuai;   Ul Haq, Bakhtiar;   Zheng, Jun;   Cheng, Buwen;   Li, Chuanbo
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无权访问的条目 学位论文
作者:  丛慧
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Si(111)衬底上GaN外延的MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  赵丹梅
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Gan  Mocvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng, CC;  Ning, JQ;  Wu, ZP;  Wang, JF;  Zhao, DG;  Xu, K;  Gao, J;  Xu, SJ
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