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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng J;  Ding WC;  Xue CL;  Zuo YH;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Wang GL;  Guo HQ;  Zheng, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Stare Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zhengjun@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡炜玄;  成步文;  薛春来;  薛海韵;  苏少坚;  白安琪;  罗丽萍;  俞育德;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai AQ;  Hu D;  Ding WC;  Su SJ;  Hu WX;  Xue CL;  Fan ZC;  Cheng BW;  Yu YD;  Wang QM;  Cheng BW Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: anqibai@semi.ac.cn;  cbw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xue HY;  Xue CL;  Cheng BW;  Yu YD;  Wang QM;  Xue HY Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: cbw@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu WX;  Cheng BW;  Xue CL;  Xue HY;  Su SJ;  Bai AQ;  Luo LP;  Yu YD;  Wang QM;  Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: cbw@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  白安琪;  胡迪;  丁武昌;  苏少坚;  胡炜玄;  薛春来;  樊中朝;  成步文;  俞育德;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  成步文;  薛春来;  罗丽萍;  韩根全;  曾玉刚;  薛海韵;  王启明
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半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  左玉华;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xue Chunlai;  Shi Wenhua;  Yao Fei;  Cheng Buwen;  WANG Hongjie;  Yu Jinzhong;  WANG Qiming
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