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High temperature annealing behaviors of luminescent SIOx : H films 会议论文
LUMINESCENT MATERIALS, 560, SAN FRANCISCO, CA, APR 05-08, 1999
作者:  Ma ZX;  Xiang XB;  Sheng SR;  Liao XB;  Shao CL;  Umeno M;  Ma ZX Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Raman-spectra  Silicon  Photoluminescence  
Influence of open-tube Ga diffusion on the characteristics for thyristor 会议论文
POWER SEMICONDUCTOR MATERIALS AND DEVICES, 483, BOSTON, MA, DEC 01-04, 1997
作者:  Wen RM;  Pei SH;  Wen RM Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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