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延长栅型 GaAs HEMT生物传感器在心肌肌钙蛋白检测中的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  徐梦轲
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Congxin Xia;  Juan Du;  Meng Li;  Xueping Li;  Xu Zhao;  Tianxing Wang;  Jingbo Li
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guijuan Zhao;  Xiaoqing Xu;  Huijie Li;  Hongyuan Wei;  Dongyue Han;  Zesheng Ji;  Yulin Meng;  Lianshan Wang;  Shaoyan Yang
Adobe PDF(678Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:268/0  |  提交时间:2017/03/10
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yiyang Xie;  Chen Xu;  Qiang Kan;  Meng Xun;  Kun Xu;  Hongda Chen
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一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  米俊萍;  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  李士颜;  潘教青
Adobe PDF(785Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:976/72  |  提交时间:2014/12/25
一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人:  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:931/71  |  提交时间:2014/12/25
在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人:  李士颜;  周旭亮;  于鸿艳;  李梦珂;  米俊萍;  潘教青
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硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(1141Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:803/53  |  提交时间:2014/12/25
基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人:  李梦珂;  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  米俊萍;  潘教青
Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:824/84  |  提交时间:2014/12/25
一种硅基微腔激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(599Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:753/71  |  提交时间:2014/11/05