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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:
董志远
;
赵有文
;
杨 俊
;
段满龙
Adobe PDF(361Kb)
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浏览/下载:1714/242
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提交时间:2010/03/19
动态控制高温炉内压力的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:
董志远
Adobe PDF(363Kb)
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浏览/下载:1182/187
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提交时间:2010/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:975/381
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提交时间:2010/03/08
Native deep level defects in ZnO single crystal grown by CVT method - art. no. 68410I
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Zhao, YW
;
Zhang, F
;
Zhang, R
;
Dong, ZY
;
Wei, XC
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:2033/527
  |  
提交时间:2010/03/09
Zinc Oxide
Defect
Vacancy
Characterization of bulk ZnO single crystal grown by a CVT method - art. no. 68410F
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Wei, XC
;
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Li, JM
;
Wei, XC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1996/508
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提交时间:2010/03/09
Zinc Oxide
X-ray Diffraction
Defects
Single Crystal
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei, XC
;
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Li, JM
;
Wei, XC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xcwei@semi.ac.cn
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浏览/下载:1562/681
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张瑞
;
张方
;
赵有文
;
董志远
;
杨俊
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浏览/下载:823/298
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张璠
;
赵有文
;
董志远
;
张瑞
;
杨俊
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浏览/下载:1011/306
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提交时间:2010/11/23
探测半导体能带结构高阶临界点的新方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
谭平恒
;
徐仲英
;
罗向东
;
葛惟昆
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浏览/下载:1533/210
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提交时间:2009/06/11
闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵有文
;
董志远
;
段满龙
;
魏学成
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浏览/下载:1279/154
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提交时间:2009/06/11