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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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半导体集成技术工程研... [3]
中国科学院半导体研究... [1]
作者
李艳 [4]
解婧 [1]
刘剑 [1]
文献类型
专利 [4]
发表日期
2009 [1]
语种
中文 [4]
出处
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作者:李艳
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一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张杨
;
刘剑
;
李艳
;
杨富华
Adobe PDF(539Kb)
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收藏
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浏览/下载:1334/213
  |  
提交时间:2009/06/11
采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081983.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
唐龙娟
;
杨晋玲
;
解婧
;
李艳
;
杨富华
Adobe PDF(415Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:2034/287
  |  
提交时间:2011/08/31
以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
李艳
;
杨富华
;
裴为华
Adobe PDF(351Kb)
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收藏
  |  
浏览/下载:2014/278
  |  
提交时间:2011/08/31
采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081224.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
李艳
;
杨富华
;
唐龙娟
;
朱银芳
Adobe PDF(311Kb)
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收藏
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浏览/下载:1959/262
  |  
提交时间:2011/08/31