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光子晶体薄板型面发射环形束激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-25, 公开日期: 4014
发明人:  郑婉华;  周文君;  陈 微;  刘安金;  邢名欣 
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高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 4003
发明人:  郑婉华;  陈 微;  邢名欣;  任 刚;  周文君;  刘安金;  陈良惠 
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有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 4001
发明人:  张长沙;  王占国;  石明吉;  彭文博;  刘石勇;  肖海波;  廖显伯;  孔光临;  曾湘波
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基于标准CMOS工艺的积分电容及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  马文龙;  石 寅;  张耀辉 
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基于光纤阵列的2×2机械式光开关 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人:  祝宁华;  张 艳;  鞠 煜;  温继敏;  王 欣 
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一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人:  李文兵;  韩 勤;  秦 龙;  杨晓红;  倪海乔;  杜 云;  朱 彬;  鞠研玲
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氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  董志远;  赵有文;  杨 俊;  段满龙 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu NH;  Li W;  Wang LX;  Chen SF;  Ke JH;  Zhang YL;  Wen JM;  Liu Y;  Wang X;  Yan HQ;  Xie L;  Zhu NH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoclect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: nhzhu@semi.ac.cn;  liwei05@semi.ac.cn;  lxwang@semi.ac.cn;  sfchen@semi.ac.cn;  jhke@semi.ac.cn;  ylzhang@semi.ac.cn;  jmwen@semi.ac.cn;  yliu@semi.ac.cn;  wxin@semi.ac.cn;  Xiel@semi.ac.cn
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高性能GaN基雪崩光电二极管研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  刘文宝
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai WL (Bai Wen-Li);  Guo BS (Guo Bao-Shan);  Cai LK (Cai Li-Kang);  Gan QQ (Gan Qiao-Qiang);  Song GF (Song Guo-Feng);  Song, GF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sgf@semi.ac.cn
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