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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [9]
作者
陈平 [1]
文献类型
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会议论文 [1]
发表日期
2008 [9]
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发表日期:2008
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一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵雷
;
左玉华
;
王启明
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提交时间:2009/06/11
一种硅基电光材料
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵雷
;
左玉华
;
王启明
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浏览/下载:1238/174
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yu, LK
;
Xu, B
;
Wang, ZG
;
Jin, P
;
Zhao, C
;
Lei, W
;
Sun, J
;
Hu, LJ
;
Yu, LK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yulike@rcd.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G
会议论文
THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 25-28, 2007
作者:
Chen P
;
Lib SP
;
Tu XG
;
Zuo YH
;
Zhao L
;
Chen SW
;
Li JC
;
Lin W
;
Chen HY
;
Liu DY
;
Kang JY
;
Yu YD
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1868/355
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提交时间:2010/03/09
Pockels Effect
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tu X
;
Zuo Y
;
Chen S
;
Zhao L
;
Yu J
;
Wang Q
;
Tu, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tuxiaog@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1211/331
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hao, XP
;
Wang, BY
;
Yu, RS
;
Wei, L
;
Wang, H
;
Zhao, DG
;
Hao, WC
;
Wei, L, Chinese Acad Sci, Inst High Energy Phys, Key Lab Nucl Anal Tech, Beijing 100049, Peoples R China. 电子邮箱地址: weil@ihep.ac.cn
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浏览/下载:1054/284
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
占荣
;
赵有文
;
于会永
;
高永亮
;
惠峰
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浏览/下载:1021/286
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
于会永
;
赵有文
;
占荣
;
高永亮
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浏览/下载:1024/310
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王柱
;
柯君玉
;
李辉
;
庞锦标
;
戴益群
;
赵有文
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浏览/下载:762/233
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提交时间:2010/11/23