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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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李成明 [2]
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发表日期
2008 [13]
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发表日期:2008
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用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
张扬
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
Adobe PDF(447Kb)
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浏览/下载:1669/270
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提交时间:2009/06/11
一种组合式聚光器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈诺夫
;
崔敏
;
王彦硕
;
白一鸣
;
吴金良
;
黄添懋
Adobe PDF(473Kb)
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浏览/下载:1622/255
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提交时间:2009/06/11
高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张扬
;
闫发旺
;
高海永
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
;
李晋闽
Adobe PDF(561Kb)
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浏览/下载:3014/218
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提交时间:2009/06/11
量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王志成
;
徐波
;
刘峰奇
;
陈涌海
;
王占国
;
石礼伟
;
梁凌燕
Adobe PDF(568Kb)
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浏览/下载:1734/222
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提交时间:2009/06/11
一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
范海波
;
李成明
;
陈涌海
;
王占国
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浏览/下载:1344/178
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提交时间:2009/06/11
一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
刘祥林
;
赵凤瑷
;
焦春美
;
董向芸
;
张晓沛
;
范海波
;
魏宏源
;
张攀峰
;
王占国
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浏览/下载:1396/138
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提交时间:2009/06/11
一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
范海波
;
李成明
;
陈涌海
;
王占国
Adobe PDF(843Kb)
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浏览/下载:1286/186
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提交时间:2009/06/11
检测键合质量的红外透视成像装置及调节方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
何国荣
;
郑婉华
;
杨国华
;
石岩
;
渠红伟
;
宋国锋
;
陈良惠
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浏览/下载:1495/233
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yu, SM
;
Yan, F
;
Zhang, XW
;
You, JB
;
Wu, PY
;
Lu, JM
;
Xu, QF
;
Xia, XW
;
Ma, GL
;
Yan, F, Suzhou Univ, Sch Chem & Chem Engn, Key Lab Organ Synth Jiangsu Prov, Suzhou 215123, Peoples R China. 电子邮箱地址: fyan@suda.edu.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
黄燕华
;
陈松岩
;
李成
;
蔡加法
;
余金中
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提交时间:2010/11/23