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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [12]
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专利 [8]
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会议论文 [1]
发表日期
2006 [12]
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英语 [2]
出处
2006 IEEE ... [1]
CHINESE PH... [1]
光学技术 [1]
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近场光学固体浸墨透镜型微小孔径激光器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
甘巧强
;
宋国峰
;
石岩
;
杨国华
;
钟源
;
高建霞
;
陈良惠
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提交时间:2009/06/11
共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄应龙
;
杨富华
;
王良臣
;
王建林
;
伊小燕
;
马龙
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浏览/下载:1161/166
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提交时间:2009/06/11
一种制备金属铪薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1191/117
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提交时间:2009/06/11
一种制备金属锆薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1335/153
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提交时间:2009/06/11
一种制备三元高K栅介质材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李艳丽
;
陈诺夫
;
刘立峰
;
尹志刚
;
杨菲
;
柴春林
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浏览/下载:1187/169
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提交时间:2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1243/148
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提交时间:2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
单相钆硅化合物以及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李艳丽
;
陈诺夫
;
杨少延
;
刘志凯
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浏览/下载:1139/151
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen YY (Chen Yuan-Yuan)
;
Li YP (Li Yan-Ping)
;
Sun F (Sun Fei)
;
Yang D (Yang Di)
;
Chen SW (Chen Shao-Wu)
;
Yu JZ (Yu Jin-Zhong)
;
Chen, YY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chyy@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
A direct-conversion mixer with DC-offset cancellation for IEEE 802.11a WLAN receiver
会议论文
2006 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS丛书标题: IEEE INTERNATIONAL SYMP ON CIRCUITS AND SYSTEMS, Kos Isl, GREECE, MAY 21-24, 2006
作者:
Xu, Q (Xu, Qiming)
;
Hu, X (Hu, Xueqing)
;
Gao, P (Gao, Peng)
;
Yan, J (Yan, Jun)
;
Yin, S (Yin, Shi)
;
Dai, FF (Dai, Foster F.)
;
Jaeger, RC (Jaeger, Richard C.)
;
Xu, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29