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变温的高阻半导体材料光电测试装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2001-08-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张砚华;  卢励吾;  樊志军
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Observation of deep electron states in n-type Al-doped ZnS1-xTex grown by molecular beam epitaxy 会议论文
SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, OCT 22-25, 2001
作者:  Lu LW;  Ge WK;  Sou IK;  Wang J;  Lu LW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Znste  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang MH;  Guo LW;  Li HW;  Li W;  Huang Q;  Bao CL;  Zhou JM;  Liu BL;  Xu ZY;  Zhang YH;  Lu LW;  Zhang MH,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Ctr Condensed Matter Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  闫华;  卢励吾;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  卢励吾;  张砚华;  K.K.Mak;  Ma Z H;  Wang J;  I.K.Sou;  Wei Kunge
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