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| 一种高温碳化硅半导体材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李晋闽; 孙国胜; 朱世荣; 曾一平; 孙殿照; 王雷
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| Epitaxial growth of SiC on complex substrates 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者: Sun GS; Li JM; Luo MC; Zhu SR; Wang L; Zhang FF; Lin LY; Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Optical Microscopy X-ray Diffraction Molecular Beam Epitaxy Semiconducting Silicon Compounds Sapphire Deposition Films |
| Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者: Li JM; Sun GS; Zhu SR; Wang L; Luo MC; Zhang FF; Lin LY; Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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X-ray Diffraction Molecular Beam Epitaxy Semiconducting Silicon Compounds Low-temperature Growth Films |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun GS; Li JM; Luo MC; Zhu SR; Wang L; Zhang FF; Lin LY; Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li JM; Sun GS; Zhu SR; Wang L; Luo MC; Zhang FF; Lin LY; Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 江德生 ; 孙宝权; 谭平恒; 李连和; 潘钟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 贾锐; 江德生; 陈京好; 谭平恒; 孙宝权; 张敬波; 林源
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 江德生; 李国华; 韩和相; 贾锐; 孙宝权; 王若桢; 孙萍
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘新宇; 孙海峰; 陈焕章; 扈焕章; 海潮和; 刘忠立; 和致经; 吴德馨
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 韩培德; 段晓峰; 孙家龙; 张泽; 王占国
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