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The fabrication of thick SiO2 layer by anodization 会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Ou HY;  Yang QQ;  Lei HB;  Wang QM;  Hu XW;  Ou HY Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Thick Sio2 Layer  Porous Silicon  Sio2/si Waveguide Device  Wave-guides  Silicon  
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作者:  Ou HY;  Yang QQ;  Lei HB;  Wang QM;  Hu XW;  Ou HY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ou HY(欧海燕);  Lei HB(雷红兵);  Yang QQ(杨沁清);  Wang QM(王启明);  Hu XW(胡雄伟)
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作者:  欧海燕;  雷红兵;  杨沁清;  余金中;  王启明;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  欧海燕;  杨沁清;  雷红兵;  王红杰;  余金中;  王启明;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ou HY(欧海燕);  Lei HB(雷红兵);  Yang QQ(杨沁清);  Wang QM(王启明);  Hu XW(胡雄伟)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  雷红兵;  欧海燕;  杨沁清;  胡雄伟;  余金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  雷红兵;  欧海燕;  杨沁清;  胡雄伟;  余金中;  王启明
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