已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者: 刘炜 Adobe PDF(1908Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1156/61  |  提交时间:2018/06/20 Ingan 量子阱 薄膜 极化效应 局域态 本底载流子浓度 |
| 微晶硅薄膜太阳电池 n/i 界面的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2013 作者: 李敬彦 Adobe PDF(2320Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1232/16  |  提交时间:2013/06/24 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 于丽娟,晏磊 Adobe PDF(754Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:494/110  |  提交时间:2013/06/03 |
| GaAs/InP 键合技术研究及其太阳电池应用 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2010 作者: 晏磊 Adobe PDF(1902Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:973/65  |  提交时间:2010/06/07 |
| 一种双结太阳电池及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010531394.5, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 韩培德 Adobe PDF(1011Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1062/128  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 姚文杰; 曾湘波; 彭文博; 刘石勇; 谢小兵; 王超; 杨萍 Adobe PDF(538Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1529/246  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种单晶薄膜异质结太阳电池及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010531371.4, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 韩培德 Adobe PDF(499Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1212/162  |  提交时间:2011/08/30 |
| 用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010128380.9, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 晏磊; 于丽娟 Adobe PDF(379Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1211/146  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种宽谱光伏效应的双结太阳电池及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010256972.9, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 韩培德 Adobe PDF(967Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:984/118  |  提交时间:2011/08/30 |