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无权访问的条目 学位论文
作者:  王蕴玉
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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  刘炜
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Ingan  量子阱  薄膜  极化效应  局域态  本底载流子浓度  
绿光InGaN/GaN多量子阱发光特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  刘炜
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Xiao-Yong;  Chong Ming;  Zhao De-Gang;  Su Yan-Mei
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Ⅲ族氮化物结构与应变性质的高分辨X 射线衍射研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  郭希
Adobe PDF(2738Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1241/96  |  提交时间：2010/08/20
Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085917.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  孙苋;  刘文宝;  朱建军;  江德生;  王辉;  张书明;  刘宗顺;  杨辉
Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1472/173  |  提交时间：2011/08/30