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| 利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 刘文宝; 孙 苋; 赵德刚 ; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 杨 辉
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| 一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 吴洁君; 韩修训; 李杰民; 黎大兵; 陆沅; 王晓晖
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| 一种III族氮化物衬底的生产设备 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 焦春美
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| 中国材料工程大典—信息功能材料工程 专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者: 王占国; 陈立泉; 屠海令
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 伊晓燕; 郭金霞; 马龙; 王立彬; 陈宇; 刘志强; 王良臣
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| 自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 吴洁君; 黎大兵; 陆沅; 韩修训; 李杰民; 王晓辉; 刘祥林; 王占国
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| 在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陆沅; 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 王占国
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| Ⅲ族氮化物低维结构的生长及物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 韩修训
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| III 族氮化物结构与光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 张纪才
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| 硅基可协变衬底上生长三族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张宝顺; 杨辉
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