×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研... [12]
作者
江德生 [3]
徐波 [3]
杨涛 [2]
马文全 [2]
曹玉莲 [1]
于丽娟 [1]
更多...
文献类型
会议论文 [12]
发表日期
2009 [2]
2008 [1]
2004 [1]
2002 [2]
2001 [3]
2000 [1]
更多...
语种
英语 [12]
出处
1998 5TH I... [1]
1999 IEEE ... [1]
2008 2ND I... [1]
APOC 2001:... [1]
COMMAD 200... [1]
INTERNATIO... [1]
更多...
资助项目
收录类别
CPCI-S [10]
CPCI(ISTP) [1]
其他 [1]
资助机构
Ansto Sims... [1]
China Natl... [1]
Chinese In... [1]
Chinese In... [1]
IEEE, Elec... [1]
IEEE. [1]
更多...
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共12条,第1-10条
帮助
限定条件
文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
Large-Signal Performance of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum-dot lasers
会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者:
Ji
;
HM
;
Cao
;
YL
;
Xu PF
;
Gu YX
;
Ma WQ
;
Liu Y
;
Wang X
;
Xie L
;
Yang T
;
Ji, HM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
Adobe PDF(274Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1864/471
  |  
提交时间:2010/06/04
Theoretical analysis of modal gain in p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:
Ji HM
;
Yang T
;
Cao YL
;
Ma WQ
;
Cao Q
;
Chen LH
;
Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(244Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1795/328
  |  
提交时间:2010/03/09
Density-of-states
Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Liang, LY
;
Ye, XL
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
;
Liang, LY, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(799Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1750/232
  |  
提交时间:2010/03/09
Induced Refractive-index
Growth
Lasers
Gaas
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Jiang DS
;
Bian LF
;
Liang XG
;
Chang K
;
Sun BQ
;
Johnson S
;
Zhang YH
;
Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(357Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1630/405
  |  
提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Gaassb/gaas
Gaas
Lasers
Gain
Optical properties of AIInGaN quaternary alloys
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
;
Huang JS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(248Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1526/242
  |  
提交时间:2010/10/29
Light-emitting-diodes
Localized Excitons
Luminescence
Relaxation
Silicon
Band
The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells
会议论文
INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, AACHEN, GERMANY, JUL 22-25, 2002
作者:
Jiang DS
;
Liang XG
;
Sun BQ
;
Bian L
;
Li LH
;
Pan Z
;
Wu RG
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(240Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1488/283
  |  
提交时间:2010/10/29
Luminescence
Localization
Design and fabrication of polarization-insensitive 1550 mm semiconductor optical amplifiers
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Yu LJ
;
Guo WH
;
Huang YZ
;
Yu LJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(77Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1368/268
  |  
提交时间:2010/10/29
Semiconductor Optical Amplifier
Strained Quantum Well
Optical Waveguide
Polarization
Quantum-well Lasers
Small signal equivalent circuit model of vertical cavity surface emitting lasers
会议论文
SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, OCT 22-25, 2001
作者:
Mao LH
;
Chen HD
;
Tang J
;
Liang K
;
Wu RB
;
Nian H
;
Guo WL
;
Wu XW
;
Mao LH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(140Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1509/397
  |  
提交时间:2010/10/29
Quantum-well Lasers
Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Wang ZG
;
Chen YH
;
Liu FQ
;
Xu B
;
Wang ZG Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(289Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1423/323
  |  
提交时间:2010/11/15
Low Dimensional Structures
Strain
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Dots
Semiconducting Iii-v Materials
Laser Diodes
Well Lasers
Methods to tune the electronic states of self-organized InAs/GaAs quantum dots
会议论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 279 (1-3), HONG KONG, HONG KONG, JUN 21-25, 1999
作者:
Wang H
;
Niu ZC
;
Zhu HJ
;
Wang ZM
;
Jiang DS
;
Feng SL
;
Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(119Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1429/261
  |  
提交时间:2010/11/15
Quantum Dot
Growth Interruption
Quantum Dot Laser