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自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  黎大兵;  陆沅;  韩修训;  李杰民;  王晓辉;  刘祥林;  王占国
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在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆沅;  刘祥林;  陆大成;  王晓晖;  王占国
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Ⅲ族氮化物低维结构的生长及物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  韩修训
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III 族氮化物结构与光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  张纪才
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