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Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer 会议论文
MICRON, 35 (6), Wuhan, PEOPLES R CHINA, OCT 17-21, 2003
作者:  Luo XH;  Wang RM;  Zhang XP;  Zhang HZ;  Yu DP;  Luo MC;  Wang RM Peking Univ Electron Microscopy Lab Beijing 100871 Peoples R China. 电子邮箱地址: rmwang@pku.edu.cn
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Transmission Electron Microscopy  Electron Energy Loss Spectroscopy  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Nitride  Chemical-vapor-deposition  Epitaxy  Layer  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Q;  Li JC;  Zhou H;  Wang H;  Wang B;  Yan H;  Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen WD;  Song SF;  Zhu JJ;  Wang XL;  Chen CY;  Hsu CC;  Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: wdchen@red.semi.ac.cn
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Doping  Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Compounds  Semiconducting Gallium Compounds  Erbium  
The diphasic nc-Si/a-Si : H thin film with improved medium-range order 会议论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 338, Campos do Jordao, BRAZIL, AUG 25-29, 2003
作者:  Zhang S;  Liao X;  Xu Y;  Martins R;  Fortunato E;  Kong G;  Zhang S Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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Amorphous-silicon Films  Scattering  Absorption  Densities  Hydrogen  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li CB;  Cheng BW;  Mao RW;  Zuo YH;  Shi WH;  Huang CJ;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Li, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin Z;  Chen NF;  Chai CL;  Yang F;  Yin, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhg@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin RQ;  Liu JP;  Zhang JC;  Yang H;  Jin, RQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: rqjin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun J;  Sun YC;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: albertjefferson@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YL;  Chen NF;  Zhou JP;  Song SL;  Liu LF;  Yin ZG;  Cai CL;  Li, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ylli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song SF;  Chen WD;  Su FH;  Zhu JJ;  Ding K;  Hsu CC;  Song, SF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sfsong@red.semi.ac.cn
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