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Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Zhang ZC;  Ren BY;  Chen YH;  Yang SY;  Wang ZG;  Zhang ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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Czochralski Method  Growth From Melt  Semiconductor Silicon  Argon Gas Flow  Computer Simulation  Oxygen Content  Furnace Pressure  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Ren BY;  Chen YH;  Yang SY;  Wang ZG;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu ZH;  Liao XB;  Zeng XB;  Xu YY;  Zhang SB;  Diao HW;  Kong GL;  Hu ZH,Chinese Acad Sci,State Lab Surface Phys,Inst Semiconductor,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李拥平;  石寅
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  曲延锋;  徐健;  李卫军;  王守觉
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