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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [6]
作者
韩伟华 [1]
汪炼成 [1]
文献类型
会议论文 [6]
发表日期
2000 [6]
语种
英语 [6]
出处
COMPOUND S... [1]
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JOURNAL OF... [1]
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收录类别:CPCI\-S
发表日期:2000
文献类型:会议论文
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Raman scattering and infrared absorption of silicon nanocrystals in silicon oxide matrix
会议论文
FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS, 4086, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 08-11, 2000
作者:
Ma ZX
;
Liao XB
;
Zheng WM
;
Yu J
;
Chu JH
;
Ma ZX Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Fis Mat Condensada State Key Lab Surface Phys POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:3222/1023
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提交时间:2010/10/29
Nanocrystalline Silicon
Raman Scattering
Infrared Absorption
Phonon Confinement
Microcrystalline Silicon
Polycrystalline Silicon
Films
Effect of rapid thermal annealing on electron emission and DX centers in strained InGaAs/GaAs single quantum well laser diodes
会议论文
SIMC-XI: 2000 INTERNATIONAL SEMICONDUCTING AND INSULATING MATERIALS CONFERENCE, PROCEEDINGS, CANBERRA, AUSTRALIA, JUL 03-07, 2000
作者:
Lu LW
;
Zhang YH
;
Xu ZT
;
Xu ZY
;
Wang ZG
;
Wang J
;
Ge WK
;
Lu LW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1289/368
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提交时间:2010/11/15
Anisotropic strain in (100) ZnSe epilayers grown on lattice mismatched substrates
会议论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 18 (4), SALT LAKE CITY, UTAH, JAN 16-20, 2000
作者:
Yang Z
;
Sou IK
;
Chen YH
;
Yang Z Hong Kong Univ Sci & Technol Adv Mat Res Inst Clearwater Bay Kowloon Hong Kong Peoples R China.
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浏览/下载:1037/199
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提交时间:2010/11/15
Reflectance Difference Spectroscopy
Znse/gaas Interface
States
Gaas
In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 221, SAPPORO, JAPAN, JUN 05-09, 2000
作者:
Lu DC
;
Wang CX
;
Yuan HR
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat & Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1358/179
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提交时间:2010/11/15
Gan
Annealing Treatment
In-doping
Movpe
Photoluminescence
Chemical-vapor-deposition
Phase Epitaxy
Buffer Layer
Films
Sapphire
Proof of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasing and the experimental determination of local Strain effect on the band structures
会议论文
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1999, (166), BERLIN, GERMANY, AUG 22-26, 1999
作者:
Wang H
;
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Wang XD
;
Guo ZS
;
Ning D
;
Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Electronic-structure
Carrier Relaxation
Energy-levels
Spectroscopy
A model of dislocations at the interface of the bonded wafers
会议论文
OPTICAL INTERCONNECTS FOR TELECOMMUNICATION AND DATA COMMUNICATIONS, 4225, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 08-10, 2000
作者:
Han WH
;
Yu JZ
;
Wang LC
;
Wei HZ
;
Zhang XF
;
Wang QM
;
Han WH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1561/266
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提交时间:2010/10/29
Wafer Bonding
Heteroepitaxy
Lattice Mismatch
Edge-like Dislocations
Thermal Stress
60 Degrees Dislocation Lines
Gaas