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半导体吸收镜被动锁模激光器的准Z型腔结构光路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王勇刚;  马骁宇
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光纤激光器被动锁模用半导体可饱和吸收镜 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王勇刚;  马骁宇;  王翠鸾;  林涛;  王俊
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离子注入砷化镓吸收镜 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马晓宇;  王勇刚
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大功率980nm量子阱半导体激光器半无铝结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王俊;  马骁宇;  林涛;  郑凯;  王勇刚
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高注入效率大功率８０８nm量子阱半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王俊;  马骁宇;  郑凯;  林涛;  王勇刚
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, JY (Peng, Ji-ying);  Miao, JG (Miao, Jie-guang);  Wang, YG (Wang, Yong-gang);  Wang, BS (Wang, Bao-shan);  Tan, HM (Tan, Hui-ming);  Qian, LS (Qian, Long-sheng);  Ma, XY (Ma, Xiao-yu);  Peng, JY, Chinese Acad Sci, Chungchun Inst Opt Fine Mech & Phys, Changchun 130022, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiyingpeng111@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sheng, Q;  Xing-Wang, Z;  Zhi-Gang, Y;  Jing-Bi, Y;  Nuo-Fu, C;  Sheng, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Keyl Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang Xiao-Lan);  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Yang H (Yang Hui);  Liang JW (Liang Jun-Wu);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: WXL@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cai ZQ (Cai Zhi-Qiang);  Yao JQ (Yao Jian-Quan);  Wang P (Wang Peng);  Wang YG (Wang Yong-Gang);  Zhang ZG (Zhang Zhi-Gang);  Cai, ZQ, Tianjin Univ, Sch Precis Instrument & Optoelect Engn, Inst Laser & Optoelect, Tianjin 300072, Peoples R China. 电子邮箱地址: sailor123a@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BY (Zhang Bingyuan);  Li G (Li Gang);  Chen M (Chen Meng);  Wang GJ (Wang Guoju);  Wang YG (Wang Yonggang);  Zhang, BY, Beijing Univ Technol, Coll Laser Engn, Beijing 100022, Peoples R China. 电子邮箱地址: bingyuanzhang@yahoo.com
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