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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Optical and electrical investigation of low dimensional self-assembled InAs quantum dot field effect transistors
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Zeng, YX (Zeng, Yuxin)
;
Liu, W (Liu, Wei)
;
Yang, FH (Yang, Fuhua)
;
Xu, P (Xu, Ping)
;
Tan, PH (Tan, Pingheng)
;
Zheng, HZ (Zheng, Houzhi)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Xing, YJ (Xing, Yingjie)
;
Yu, DP (Yu, Dapeng)
;
Zeng, YX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Inas Quantum Dot
Photoluminescence
Modulation-doped
Field Effect Transistor
Mu-m
Capping Layer
Shallow donor defect formation and its influence on semi-insulating indium phosphide after high temperature annealing with long duration
会议论文
SMIC-XIII2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Zhang, YH
;
Li, CJ
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Deep-level Defects
Fe-doped Inp
Grown Inp
Spectroscopy
Resonance
Wafer
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Jiang DS
;
Bian LF
;
Liang XG
;
Chang K
;
Sun BQ
;
Johnson S
;
Zhang YH
;
Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Gaassb/gaas
Gaas
Lasers
Gain
Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Jiang DS
;
Liang XG
;
Chang K
;
Bian LF
;
Sun BQ
;
Wang JB
;
Johnson S
;
Zhang Y
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Lasers
Gain
Gaas
Native oxided AlAs current blocking layer for AIGaInP high brightness light emitting diodes
会议论文
LIGHT-EMITTING DIODES: RESEARCH, MANUFACTURING, AND APPLICATIONS IV, 3938, SAN JOSE, CA, JAN 26-27, 2000
作者:
Wang GH
;
Ma XY
;
Zhang YF
;
Wang ST
;
Li YZ
;
Chen LH
;
Wang GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Native Oxided Alas
Current Blocking Layer
Algainp
High Brightness Light Emitting Diodes
Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:
Xu DP
;
Yang H
;
Li JB
;
Li SF
;
Zhao DG
;
Wang YT
;
Sun XL
;
Wu RH
;
Xu DP Chinese Acad Sci Natl Res Ctr Optoelect Technol Inst Semicond Beijing 100864 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Cubic Gan
Buffer Layer
Atomic Force Microscopy
Reflection High-energy Electron Diffraction
Movpe
Semi-insulating GaAs grown in outer space
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Xie X
;
Zhang M
;
Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Gaas
Outer Space
Microgravity
Integrated Circuit
Semiinsulating Gallium-arsenide
Lec-gaas
Defects
Stoichiometry
Segregation
Carbon
Boron
Mechanism on exciton-mediated energy transfer in erbium-doped silicon
会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Wang QM
;
Lei HB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Er-doped Silicon
Photoluminescence
Energy Transfer
Al2o3 Wave-guides
Er
Electroluminescence
Epitaxy
Gaas
Self-sustained oscillations caused by magnetic field in a weakly-coupled GaAs/AlAs superlattice
会议论文
PHYSICA B, 279 (1-3), HONG KONG, HONG KONG, JUN 21-25, 1999
作者:
Sun BQ
;
Wang JN
;
Jiang DS
;
Wu JQ
;
Wang YQ
;
Ge WK
;
Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond NLSM POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1381/228
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提交时间:2010/11/15
Transverse Magnetic Field
Field Domains
Self-sustained Oscillations
Semiconductors
A model of dislocations at the interface of the bonded wafers
会议论文
OPTICAL INTERCONNECTS FOR TELECOMMUNICATION AND DATA COMMUNICATIONS, 4225, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 08-10, 2000
作者:
Han WH
;
Yu JZ
;
Wang LC
;
Wei HZ
;
Zhang XF
;
Wang QM
;
Han WH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Wafer Bonding
Heteroepitaxy
Lattice Mismatch
Edge-like Dislocations
Thermal Stress
60 Degrees Dislocation Lines
Gaas