×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [4]
作者
文献类型
会议论文 [4]
发表日期
2008 [2]
2004 [1]
1999 [1]
语种
英语 [4]
出处
2008 2ND I... [2]
2004 IST I... [1]
IEEE TRANS... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [3]
其他 [1]
资助机构
IEEE. [4]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
资助机构:IEEE.
文献类型:会议论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Liang, LY
;
Ye, XL
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
;
Liang, LY, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(799Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1742/232
  |  
提交时间:2010/03/09
Induced Refractive-index
Growth
Lasers
Gaas
Observation of photogalvanic current for interband absorption in InN films at room temperature
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Liu, Y
;
Zhang, RQ
;
Liu, XL
;
Wang, ZG
;
Zhang, R
;
Zhang, Z
;
Tang, CG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(236Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1986/374
  |  
提交时间:2010/03/09
Quantum-wells
Spin
Intense room temperature near infrared emission from Al (3+) and Yb3+ ions
会议论文
2004 IST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, SEP 29-OCT 01, 2004
作者:
Zhang JG
;
Cheng BW
;
Gao, JH
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Zhang, JG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(190Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1381/273
  |  
提交时间:2010/03/29
Fluorescence
Improved neutron radiation hardness for Si detectors: Application of low resistivity starting material and or manipulation of N-eff by selective filling of radiation-induced traps at low temperatures
会议论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 46 (3), TORONTO, CANADA, NOV 08-14, 1998
作者:
Dezillie B
;
Li Z
;
Eremin V
;
Bruzzi M
;
Pirollo S
;
Pandey SU
;
Li CJ
;
Dezillie B Brookhaven Natl Lab Upton NY 11973 USA.
Adobe PDF(790Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1589/308
  |  
提交时间:2010/11/15
Silicon Detectors