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Photoluminescence characteristics of GaAs/AlGaAs quantum dot arrays fabricated by dry and dry-wet etching 会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者:  Wang XH;  Song AM;  Liu J;  Cheng WC;  Li GH;  Li CF;  Li YX;  Yu JZ;  Wang XH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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Gaas/algaas  Quantum Dot Array  Etching Method  Photoluminescence  Wires  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu HZ;  Zhou W;  Xu B;  Jiang WH;  Gong Q;  Ding D;  Wang ZG;  Xu HZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: hzxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu HZ;  Jiang WH;  Xu B;  Zhou W;  Wang ZG;  Xu HZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu HZ;  Jiang WH;  Xu B;  Zhou W;  Wang ZG;  Xu HZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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