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Characterization of AlGaN on GaN template grown by MOCVD - art. no. 68410K 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Yan, JC;  Wang, JX;  Liu, NX;  Liu, Z;  Li, JM;  Yan, JC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
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Algan  Gan Template  A1n Interlayer  Mocvd  Crack  Interference Fringes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li SL;  Liu B;  Sun BQ;  Jiang DS;  Xu ZY;  Li SL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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