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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo Y;  Liu XL;  Song HP;  Yang AL;  Xu XQ;  Zheng GL;  Wei HY;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Guo, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Tingshua E Rd 35,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.E-mail Address: guoyan@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ng YF;  Cao YG;  Xie MH;  Wang XL;  Tong SY;  Xie MH,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China. 电子邮箱地址: mhxie@hkusua.hku.hk
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MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yang H;  Zhang SM;  Xu DP;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Sun YP;  Feng ZH;  Zheng LX;  Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Mocvd  Gan  Ingan  Cubic  Led  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Gallium Nitride  Phase Epitaxy  Ingan Films  Electroluminescence  Zincblende  Wurtzite  Mbe