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In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 221, SAPPORO, JAPAN, JUN 05-09, 2000
作者:  Lu DC;  Wang CX;  Yuan HR;  Liu XL;  Wang XH;  Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat & Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Gan  Annealing Treatment  In-doping  Movpe  Photoluminescence  Chemical-vapor-deposition  Phase Epitaxy  Buffer Layer  Films  Sapphire  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li F;  Cheng HM;  Xing YT;  Tan PH;  Su G;  Cheng HM,Chinese Acad Sci,Inst Met Res,Shenyang 110015,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu DC;  Wang CX;  Yuan HR;  Liu XL;  Wang XH;  Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat & Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Dependence of ultra-thin gate oxide reliability on surface cleaning approach 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Gao WY;  Liu ZL;  He ZJ;  Gao WY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Chemical Treatment  Quality  Technology  Films