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| 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 杨少延; 刘志凯; 柴春林
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| 离子注入法制备磁性半导体及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者: 宋书林
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘志凯; 周剑平; 柴春林; 杨少延 ; 宋书林; 李艳丽; 陈诺夫
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 尹志岗; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 尹志岗; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李艳丽; 陈诺夫; 周剑平; 宋书林; 杨少延; 刘志凯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周剑平; 陈诺夫; 宋书林; 柴春林; 杨少延; 刘志凯; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 柴春林; 杨少延; 刘志凯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张秀兰; 张富强; 宋书林; 陈诺夫; 王占国; 胡文瑞; 林兰英
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