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一种在立方氮化硼薄膜上制备良好欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张兴旺;  陈诺夫
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一种考夫曼离子源中的中和阴极灯丝及其方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张兴旺;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang Xing-Wang);  You JB (You Jing-Bi);  Chen NF (Chen Nuo-Fu);  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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半导体量子点和量子线的电学、磁学和光学性质 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  张秀文
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张兴旺;  游经碧;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王玥;  吴远大;  李建光;  安俊明;  王红杰;  尹小杰;  张家顺;  胡雄伟
Adobe PDF(451Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：860/253  |  提交时间：2010/11/23