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| 波长可调谐电吸收调制分布反馈激光器和制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘国利; 王圩; 张静媛
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| 半导体模式转换器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-04-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘国利; 王圩; 朱洪亮; 董杰
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| 选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-01-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘国利; 王圩; 陈娓兮; 朱洪亮
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jia R; Jiang DS ; Liu HY; Wei YQ; Xu B; Wang ZG; Jia R,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Supelattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jia R; Jiang DS; Liu HY; Wei YQ; Xu B; Wang ZG; Jia R,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 魏红振; 余金中; 夏金松; 严清峰; 刘忠立; 房昌水
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘媛; 方高瞻; 王小薇; 刘斌; 马晓宇; 肖建伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu Guoli; Wang Wei; Zhu Hongliang; Zhang Jingyuan; Hu Xiaohua; Lu Yu; Zhang Jing
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘斌; 张敬明; 刘媛媛; 王晓薇; 方高瞻; 马骁宇; 肖建伟
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