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一种全内反射半导体光波导开关 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1994-07-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  庄婉如;  杨培生;  石志文;  孙富荣;  高俊华;  段继宁;  邹正中
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MOCVD GaAlAs/GaAs超晶格量子阱材料的研制及应用 成果
1994
主要完成人:  杨辉;  梁骏吾;  邓礼生;  郑联喜;  胡雄伟
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Mocvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张敬明;  徐遵图;  杨国文;  李世祖;  郑婉华;  肖建伟;  徐俊英;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郑云;  马文驹;  陶锋;  薛明伦;  周伯骏;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨国文;  肖建伟;  徐遵图;  张敬明;  徐俊英;  郑婉华;  曾一平;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王小军;  郑联喜;  王启明;  庄婉如;  黄美纯;  郑婉华
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