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两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081985.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  霍永恒;  马文全;  种明;  张艳华;  陈良惠
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基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196135.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马绍栋;  郑婉华;  陈微;  周文君;  刘安金;  彭红玲
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10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010171382.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘小宇;  马文全;  张艳华;  种明
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电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081984.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  霍永恒;  马文全;  种明;  张艳华;  陈良惠
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基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102163638A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  马绍栋;  付非亚;  王宇飞;  王海玲;  彭红玲;  郑婉华
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一种铁电晶体材料的极化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102122105A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  范学东;  马传龙;  王海玲;  王宇飞;  马绍栋;  郑婉华
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一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102110595A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  彭红玲;  渠宏伟;  马绍栋
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一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102110594A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  彭红玲;  郑婉华;  石岩;  马绍栋
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一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102321920A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  马传龙;  范学东;  渠红伟;  彭红玲;  王海玲;  马绍栋
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一种对铁电晶体材料进行极化的极化电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102436114A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  范学东;  马传龙;  马绍栋;  齐爱谊
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