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| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1411/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰 Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1466/167  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰 Adobe PDF(681Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1199/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李凯; 叶小玲; 王占国 Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1359/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 胡卫国; 魏鸿源; 焦春美; 康亭亭; 张日清; 刘祥林 Adobe PDF(644Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:909/278  |  提交时间:2010/11/23 |