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| 宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘宁; 金鹏 ; 王占国
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| 提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李若园; 徐波; 王占国
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| 单模量子级联激光器的器件结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郭瑜; 刘峰奇; 刘俊岐; 王占国
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| 一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰
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| 一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰
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| 砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李凯; 叶小玲; 王占国
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| 一种半导体晶片亚表面损伤层的测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈涌海; 王占国
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| 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王元立; 吴巨; 金鹏; 叶小玲; 张春玲; 黄秀颀; 陈涌海; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 贾国治; 姚江宏; 张春玲; 舒强; 刘如彬; 叶小玲; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡良均; 陈涌海; 叶小玲; 王占国
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