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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [8]
作者
江德生 [1]
文献类型
会议论文 [8]
发表日期
1999 [8]
语种
英语 [8]
出处
CZECHOSLOV... [3]
COMPOUND S... [1]
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NUCLEAR IN... [1]
PHYSICA ST... [1]
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收录类别:CPCI\-S
发表日期:1999
语种:英语
文献类型:会议论文
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Pressure behavior of deep centers in ZnSxTe1-x alloys
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 211 (1), THESSALONIKI, GREECE, AUG 09-13, 1998
作者:
Liu NZ
;
Li GH
;
Zhang W
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Ge WK
;
Sou IK
;
Liu NZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Absorption-edge
Strains
Zns
First charge collection and position-precision data on the medium-resistivity silicon strip detectors before and after neutron irradiation up to 2x10(14) n/cm(2)
会议论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 426 (1), FLORENCE, ITALY, MAR 04-06, 1998
作者:
Li Z
;
Dezilllie B
;
Eremin V
;
Li CJ
;
Verbitskaya E
;
Li Z Brookhaven Natl Lab Bldg 535BPOB 5000 Upton NY 11973 USA.
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浏览/下载:1656/327
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提交时间:2010/11/15
Strip Detectors
Silicon Detectors
Annealing
Simulation
Irradiation
N-eff
Junction Detectors
Radiation-damage
Models
Fe-57 Mossbauer spectroscopic and magnetic studies of R3Fe29-xVx (R = Y, Ce, Nd, Sm, Gd, Tb, and Dy)
会议论文
HYPERFINE INTERACTIONS, 121 (1-8), DURBAN, SOUTH AFRICA, AUG 23-28, 1998
作者:
Nagamine LCCM
;
Baggio-Saitovitch E
;
Azevedo IS
;
Han XF
;
Lin LY
;
Rechenberg R
;
Nagamine LCCM Ctr Brasileiro Pesquisas Fis Rua Dr Xavier Sigaud 150 Rio De Janeiro Brazil.
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提交时间:2010/11/15
Nitride
Cr
Si-based optoelectronic devices and their attractive applications
会议论文
CZECHOSLOVAK JOURNAL OF PHYSICS, 49 (5), PRAGUE, CZECH REPUBLIC, JUN 15-17, 1998
作者:
Wang QM
;
Yang QQ
;
Zhu YQ
;
Si JJ
;
Liu YL
;
Lei HB
;
Cheng BW
;
Yu JZ
;
Wang QM Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
AlGaInP visible quantum well lasers for information technology
会议论文
CZECHOSLOVAK JOURNAL OF PHYSICS, 49 (5), PRAGUE, CZECH REPUBLIC, JUN 15-17, 1998
作者:
Yu JZ
;
Chen LH
;
Ma XY
;
Wang QM
;
Yu JZ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
High-power Operation
Diodes
InP-based optoelectronic devices for optical fiber communications
会议论文
CZECHOSLOVAK JOURNAL OF PHYSICS, 49 (5), PRAGUE, CZECH REPUBLIC, JUN 15-17, 1998
作者:
Luo Y
;
Chen LH
;
Li TN
;
Luo Y Tsing Hua Univ Dept Elect Engn State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100084 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Feedback Semiconductor-lasers
New way to enhance the uniformity of self-organized InAs quantum dots
会议论文
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1998, (162), NARA, JAPAN, OCT 12-16, 1998
作者:
Zhu HJ
;
Wang H
;
Wang ZM
;
Cui LQ
;
Feng SL
;
Zhu HJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1179/173
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提交时间:2010/11/15
Molecular-beam Epitaxy
Threshold
Growth
Laser
Effect of carrier relaxation and emission on photoluminescence of InAs quantum dots
会议论文
PROCEEDINGS OF THE FIFTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON QUANTUM CONFINEMENT: NANOSTRUCTURES, 98 (19), BOSTON, MA, NOV 02-05, 1998
作者:
Zhu HJ
;
Wang ZM
;
Sun BQ
;
Feng SL
;
Jiang DS
;
Zheng HZ
;
Zhu HJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29