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一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  应杰;  张兴旺;  范亚明
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具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人:  谢小兵;  曾湘波;  杨萍;  李洁;  李敬彦;  张晓东;  王启明
Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：697/87  |  提交时间：2014/10/24